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TK-100露點(diǎn)儀在半導(dǎo)體行業(yè)的運(yùn)用特點(diǎn)
測(cè)量氣體中的水蒸氣露點(diǎn)溫度的儀器叫做露點(diǎn)儀。露點(diǎn)儀因所使用的冷卻方法和檢測(cè)控制方法不同,可以分為多種類型。這里只介紹熱電制冷自動(dòng)檢測(cè)露層的平衡式精密露點(diǎn)儀在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的應(yīng)用。
露點(diǎn)儀在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)工藝中起重要監(jiān)測(cè)作用。半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)是在
凈化間內(nèi)進(jìn)行的。凈化間規(guī)范往往包括相對(duì)濕度(RH)這一項(xiàng),一年內(nèi)控制點(diǎn)的范圍從35%到65%,精度2%(70℃以下)濕度超標(biāo)會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)計(jì)劃的完成。
在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)區(qū),濕度不穩(wěn)定,會(huì)出現(xiàn)很多問題。最典型的問題是烘干期延長,整個(gè)處理過程變得難以控制。當(dāng)相對(duì)濕度高于35%時(shí),元件易被腐蝕。此外,將顯影液噴在芯片表面時(shí),顯影液迅速揮發(fā),使芯片表面溫度下降,致使水汽凝結(jié)在芯片表面。凝結(jié)水不但會(huì)影響顯影特性,還會(huì)吸收到半導(dǎo)體內(nèi),這將導(dǎo)致膨化及其它質(zhì)量缺陷,還必須增加一些不必要的工藝控制。
凈化間常用的除濕方法有兩種。一種是調(diào)節(jié)空氣,另一種是除濕劑。采用第一種方法時(shí),將與凈化間氣流接觸的表面的溫度降至氣流露點(diǎn)以下。除去析出的冷凝水,將除濕后的空氣加熱至規(guī)定溫度后,重新送回凈化間。標(biāo)準(zhǔn)冷凍機(jī)可保證露點(diǎn)達(dá)到+4℃;采用第二種方法時(shí),氣流通過吸濕劑,吸濕劑直接吸收氣流中的水分,然后將除濕后的空氣送回凈化間。吸濕劑除濕法可使露點(diǎn)低于-18℃。
另外,半導(dǎo)體芯片需在化學(xué)氣相沉積外延反應(yīng)爐中加工,將一層穩(wěn)定的單晶硅膜沉積在芯片上。在加工過程中反應(yīng)爐中的水氣和氧氣會(huì)污染沉積膜而降低
產(chǎn)量。
反應(yīng)爐工作氣壓范圍從高真空度到大氣壓,可在約344kPa壓力下預(yù)凈化處理。該工藝所需的氣體包括:胂化氫、磷化氫、氫、氮和氬等。膜沉積工藝質(zhì)量取決于對(duì)氣體混合及質(zhì)量流量的控制。產(chǎn)量取決于濕度的控制精度。也就是說,濕度及氧的測(cè)量,對(duì)設(shè)計(jì)嚴(yán)格的氣體混合規(guī)范十分重要,整個(gè)工藝過程離不開熱電制冷自動(dòng)檢測(cè)露層的平衡式精密露點(diǎn)儀的監(jiān)測(cè)。
國內(nèi)開發(fā)、國內(nèi)制造、國內(nèi)校準(zhǔn)
露點(diǎn)測(cè)量范圍-100至+20℃dp
精度±2℃dp
高響應(yīng)速度
有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)體系
交貨快捷
完善的支持體系
可追溯至國家標(biāo)準(zhǔn)
手套箱內(nèi)的露點(diǎn)控制
干燥機(jī)露點(diǎn)檢查
熱處理爐內(nèi)氣氛控制
潔凈室和干燥室的露點(diǎn)管理
氣體純度控制
天然氣水分管理
半導(dǎo)體制造設(shè)備
有機(jī)EL制造